d)在hBN(顶部)和SiO2(底部)上具有接触区域的器件电荷注入示意图，争夺其中红色和蓝色箭头分别表示电子和空穴的注入。
【成果简介】近日，国家个城国家纳米科学中心何军研究员(通讯作者)等从分析和理论上对双极性vdWS的传导行为进行了研究，国家个城并在Adv.Mater.上发表了题为UncoveringtheConductionBehaviorofvanderWaalsAmbipolarSemiconductors的研究论文。由于vdWS的原子级薄的厚度以及未经掺杂，都济难以利用传统半导体理论解释这一问题。
到目前为止，市圈市拼已经在许多新材料中观察到双极行为，如碳纳米管(CNT)。通过在vdWS和基板之间引入惰性hBN层，争夺可以抑制/反转这种转变。图2MoTe2/WSe2基SBFET随厚度变化的传导行为a,c)不同层数的MoTe2和WSe2的漏极电流密度-有效栅极电压特性曲线(空心圆)，国家个城实线为根据SBFET模型的相应模拟结果。
都济之后作者使用该模型来解释降低层厚同时双极vdWS的传导极性转换现象(从n主导到p主导或甚至纯p型)。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，市圈市拼投稿邮箱[email protected]。
基于上述结果，争夺作者发现在改变层厚的同时广泛观察到的导电极性转变主要来自金属/vdWS界面处的能带对准的调谐。
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